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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Montage sur châssis
Tension - évaluée:
84 V
Le paquet:
Plateau
Série:
GaN
Chiffre de bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
440162
Tension - essai:
28 V
Mfr:
Wolfspeed, Inc.
Fréquence:
1Pour les appareils de surveillance des fréquences:
Gain:
15dB
Emballage / boîtier:
440162
Actuel - essai:
500 mA
Puissance de sortie:
120W
Technologie:
HEMT
Estimation actuelle (ampères):
-
Numéro du produit de base:
CGH21120
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
120W, GAN HEMT, 28V, de 1,8 à 1,1 GHz,
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
RF Mosfet 28 V 500 mA 1,8 GHz ~ 2,3 GHz 15 dB 120W 440162

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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