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Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Monture de surface
Tension - évaluée:
65 V
Le paquet:
Plateau
Série:
-
Chiffre de bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
H-36265-2, sous réserve de l'utilisation de la méthode suivante:
Tension - essai:
30V
Mfr:
Infineon Technologies
Fréquence:
2.14 GHz
Gain:
16.5 dB
Emballage / boîtier:
H-36265-2, sous réserve de l'utilisation de la méthode suivante:
Actuel - essai:
550mA
Puissance de sortie:
18w
Technologie:
ldmos
Estimation actuelle (ampères):
10µA
Numéro du produit de base:
Le nombre d'établissements d'enseignement supérieur
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'UE.
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
RF Mosfet 30 V 550 mA 2,14 GHz 16,5 dB 18W H-36265-2

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