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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Statut du produit:
Dépassé
Configuration:
N-canal
Tension - évaluée:
4V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Chiffre de bruit:
0.35dB
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
S02
Tension - essai:
2 V
Mfr:
Cel
Fréquence:
12 GHz
Gain:
14dB
Emballage / boîtier:
4-SMD, conduits plats
Actuel - essai:
10 mA
Puissance de sortie:
165 mW
Technologie:
GaAs HJ-FET
Estimation actuelle (ampères):
60mA
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
IC HJ-FET RF N-CH S02 4 - Microx
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
RF Mosfet 2 V 10 mA 12 GHz 14 dB 165 mW S02

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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