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A2T18H410-24SR6 est utilisé.
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A2T18H410-24SR6 est utilisé.

A2T18H410-24SR6 est utilisé.

Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Montage sur châssis
Tension - évaluée:
65 V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Configuration:
Double
Série:
-
Chiffre de bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Pour les appareils de traitement de l'air
Tension - essai:
28 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Fréquence:
10,81 GHz
Gain:
170,4 dB
Emballage / boîtier:
Pour les appareils de traitement de l'air
Actuel - essai:
800 mA
Puissance de sortie:
71W
Technologie:
ldmos
Estimation actuelle (ampères):
-
Numéro du produit de base:
A2T18
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
TRANSPORT RF LDMOS D'IC
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
RFI Mosfet 28 V 800 mA 1,81 GHz 17,4 dB 71W NI-1230-4LS2L

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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