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Le numéro de téléphone est le numéro de téléphone de l'entreprise.
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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Montage sur châssis
Tension - évaluée:
65 V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Configuration:
Double
Série:
-
Chiffre de bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
NI-1230
Tension - essai:
30V
Mfr:
NXP USA Inc.
Fréquence:
2.9GHZ
Gain:
130,3 dB
Emballage / boîtier:
NI-1230
Actuel - essai:
100 mA
Puissance de sortie:
320W
Technologie:
ldmos
Estimation actuelle (ampères):
-
Numéro du produit de base:
Le numéro de téléphone est le MRF8P29300.
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
RF Mosfet 30 V 100 mA 2,9 GHz 13,3 dB 320W NI-1230

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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