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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Monture de surface
Tension - évaluée:
65 V
Le paquet:
Plateau
Série:
GOLDMOS®
Chiffre de bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
H-31260-2
Tension - essai:
28 V
Mfr:
Infineon Technologies
Fréquence:
2.42 GHz
Gain:
14dB
Emballage / boîtier:
2-Plaquette, à nageoires de nageoires, à flancs
Actuel - essai:
A 1,15
Puissance de sortie:
130W
Technologie:
ldmos
Estimation actuelle (ampères):
10µA
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'UE.
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
RF Mosfet 28 V 1,15 A 2,42 GHz 14 dB 130W H-31260-2

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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