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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.
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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Monture de surface
Tension - évaluée:
65 V
Le paquet:
Plateau
Série:
-
Chiffre de bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
H-37265-2, sous réserve de l'utilisation de la méthode suivante
Tension - essai:
28 V
Mfr:
Infineon Technologies
Fréquence:
2.14 GHz
Gain:
16dB
Emballage / boîtier:
2-Plaquette, à nageoires de nageoires, à flancs
Actuel - essai:
550mA
Puissance de sortie:
12W
Technologie:
ldmos
Estimation actuelle (ampères):
10µA
Numéro du produit de base:
Le nombre d'équipements utilisés
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
IC FET RF LDMOS 60W H-37265-2
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
RF Mosfet 28 V 550 mA 2,14 GHz 16 dB 12W H-37265-2

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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