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Le modèle MRFG35010R5
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Le modèle MRFG35010R5

Le modèle MRFG35010R5

Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Montage sur châssis
Tension - évaluée:
15 V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Chiffre de bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
NI-360HF
Tension - essai:
12 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Fréquence:
3.55 GHz
Gain:
10dB
Emballage / boîtier:
NI-360HF
Actuel - essai:
180 mA
Puissance de sortie:
10W
Technologie:
pHEMT FET
Estimation actuelle (ampères):
-
Numéro du produit de base:
Le numéro d'immatriculation
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Le système d'exploitation de l'équipement doit être équipé d'un dispositif de ventilation de l'équip
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
RF Mosfet 12 V 180 mA 3,55 GHz 10 dB 10W NI-360HF

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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