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CE3512K2
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CE3512K2

CE3512K2

Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Statut du produit:
Actif
Tension - évaluée:
4V
Le paquet:
bandeau
Série:
-
Chiffre de bruit:
0.5dB
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
4-Micro-X
Tension - essai:
2 V
Mfr:
Cel
Fréquence:
12 GHz
Gain:
130,7 dB
Emballage / boîtier:
4-Micro-X
Actuel - essai:
10 mA
Puissance de sortie:
125mW
Technologie:
pHEMT FET
Estimation actuelle (ampères):
15mA
Numéro du produit de base:
Pour les produits de l'industrie de la construction
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
FET 4V 12GHZ 4MICROX de RF
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
RF Mosfet 2 V 10 mA 12 GHz 13,7 dB 125 mW 4-Micro-X

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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