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A2G22S251-01SR3
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A2G22S251-01SR3

A2G22S251-01SR3

Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Tension - évaluée:
125 V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Chiffre de bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
NI-400S-2S
Tension - essai:
48V
Mfr:
NXP USA Inc.
Fréquence:
1Pour les appareils de surveillance de l'environnement:
Gain:
170,7 dB
Emballage / boîtier:
NI-400S-2S
Actuel - essai:
200 mA
Puissance de sortie:
52 dBm
Technologie:
ldmos
Estimation actuelle (ampères):
-
Numéro du produit de base:
A2G22
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre dans lequel elles se trouve
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
RF Mosfet 48 V 200 mA 1,805 GHz ~ 2,2 GHz 17,7 dB 52 dBm NI-400S-2S

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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