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MHE1003NR3
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MHE1003NR3

MHE1003NR3

Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Monture de surface
Tension - évaluée:
65 V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Chiffre de bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
OM-780-2
Tension - essai:
28 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Fréquence:
2.4 GHz ~ 2,5 GHz
Gain:
14.1 dB
Emballage / boîtier:
OM-780-2
Actuel - essai:
50 mA
Puissance de sortie:
53dBm
Technologie:
ldmos
Estimation actuelle (ampères):
10µA
Numéro du produit de base:
MHE10
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Réseaux de télécommunications électriques
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
RF Mosfet 28 V 50 mA 2,4 GHz ~ 2,5 GHz 14,1 dB 53 dBm OM-780-2

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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