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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Montage sur châssis
Tension - évaluée:
65 V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Configuration:
Double
Série:
-
Chiffre de bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Pour les appareils de traitement de l'air
Tension - essai:
30V
Mfr:
NXP USA Inc.
Fréquence:
2.9GHZ
Gain:
130,3 dB
Emballage / boîtier:
Le point de contact est le point de contact de l'appareil.
Actuel - essai:
100 mA
Puissance de sortie:
320W
Technologie:
ldmos
Estimation actuelle (ampères):
-
Numéro du produit de base:
Résultats de l'analyse
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Le système d'exploitation de l'appareil doit être équipé d'un système d'exploitation de l'appareil.
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
RF Mosfet 30 V 100 mA 2,9 GHz 13,3 dB 320W NI-1230-4H

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