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A2G26H281-04SR3
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A2G26H281-04SR3

A2G26H281-04SR3

Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Tension - évaluée:
125 V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Chiffre de bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Pour les appareils de surveillance des risques
Tension - essai:
48V
Mfr:
NXP USA Inc.
Fréquence:
2Pour les appareils électroniques
Gain:
14.2 dB
Emballage / boîtier:
Pour les appareils de surveillance des risques
Actuel - essai:
150 mA
Puissance de sortie:
50W
Technologie:
ldmos
Estimation actuelle (ampères):
-
Numéro du produit de base:
A2G26
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre dans lequel elles se trouve
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
RF Mosfet 48 V 150 mA 2,496 GHz ~ 2,69 GHz 14,2 dB 50W NI-780S-4L

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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