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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Statut du produit:
Dépassé
Configuration:
N-canal
Tension - évaluée:
3 V
Le paquet:
bandeau
Série:
-
Chiffre de bruit:
0.85dB
Tension - essai:
2 V
Mfr:
Cel
Fréquence:
20GHz
Gain:
10.5 dB
Emballage / boîtier:
4-SMD, conduits plats
Actuel - essai:
6 mA
Puissance de sortie:
-
Technologie:
GaAs HJ-FET
Estimation actuelle (ampères):
15mA
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
RF Mosfet 2 V 6 mA 20 GHz 10,5 dB

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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