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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Montage sur châssis
Tension - évaluée:
68V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Chiffre de bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
NI-780S
Tension - essai:
28 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Fréquence:
880MHz
Gain:
200,9 dB
Emballage / boîtier:
NI-780S
Actuel - essai:
1,2 A
Puissance de sortie:
35W
Technologie:
ldmos
Estimation actuelle (ampères):
-
Numéro du produit de base:
Résultats de l'enquête
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
RF Mosfet 28 V 1,2 A 880MHz 20,9 dB 35W NI-780S

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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