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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Montage sur châssis
Tension - évaluée:
65 V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Chiffre de bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
NI-780S
Tension - essai:
28 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Fréquence:
2Pour les appareils de surveillance de l'environnement
Gain:
17.5 dB
Emballage / boîtier:
NI-780S
Actuel - essai:
1.35 A
Puissance de sortie:
44W
Technologie:
ldmos
Estimation actuelle (ampères):
-
Numéro du produit de base:
Résultats de l'enquête
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Le système de régulation de l'énergie est basé sur les normes de sécurité de l'énergie.
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
RF Mosfet 28 V 1,35 A 2,11 GHz ~ 2,17 GHz 17,5 dB 44W NI-780S

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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