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Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Montage sur châssis
Tension - évaluée:
65 V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Chiffre de bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Pour les appareils de traitement des eaux usées
Tension - essai:
28 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Fréquence:
2.17GHz
Gain:
170,3 dB
Emballage / boîtier:
Le point de contact est le point de contact.
Actuel - essai:
1,1 A
Puissance de sortie:
33W
Technologie:
ldmos
Estimation actuelle (ampères):
-
Numéro du produit de base:
Résultats de l'enquête
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'UE.
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
RF Mosfet 28 V 1.1 A 2,17 GHz 17,3 dB 33W NI-780H-2L

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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