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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Montage sur châssis
Tension - évaluée:
65 V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Chiffre de bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Pour les appareils de traitement des eaux usées
Tension - essai:
28 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Fréquence:
1.51 GHz
Gain:
19.5 dB
Emballage / boîtier:
Le point de contact est le point de contact.
Actuel - essai:
600 mA
Puissance de sortie:
23W
Technologie:
ldmos
Estimation actuelle (ampères):
-
Numéro du produit de base:
Résultats de l'enquête
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Les données sont fournies à l'aide d'un formulaire de référence.
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
RF Mosfet 28 V 600 mA 1,51 GHz 19,5 dB 23W NI-780H-2L

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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