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A2I20H060NR1
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A2I20H060NR1

A2I20H060NR1

Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Tension - évaluée:
65 V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Configuration:
Double
Série:
-
Chiffre de bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-270WB-15
Tension - essai:
28 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Fréquence:
10,84 GHz
Gain:
280,9 dB
Emballage / boîtier:
TO-270-15 Variante à plomb plat
Actuel - essai:
24 mA
Puissance de sortie:
12W
Technologie:
ldmos
Estimation actuelle (ampères):
-
Numéro du produit de base:
A2I20
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
TRANSPORT RF LDMOS D'IC
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
RF Mosfet 28 V 24 mA 1,84 GHz 28,9 dB 12 W à 270 WB-15

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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