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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Monture de surface
Tension - évaluée:
8 V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Chiffre de bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le PLD-1.5
Tension - essai:
6 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Fréquence:
3.55 GHz
Gain:
9dB
Emballage / boîtier:
Le PLD-1.5
Actuel - essai:
180 mA
Puissance de sortie:
3W
Technologie:
pHEMT FET
Estimation actuelle (ampères):
-
Numéro du produit de base:
Le numéro d'immatriculation
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Le système d'exploitation doit être équipé d'un système de gestion de l'énergie.
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
RF Mosfet 6 V 180 mA 3,55 GHz 9 dB 3W PLD-1.5

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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