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1012GN-800V
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1012GN-800V

1012GN-800V

Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Tension - évaluée:
150V
Le paquet:
Produits en vrac
Configuration:
-
Série:
V
Chiffre de bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
55-KR
Tension - essai:
54 V
Mfr:
Technologie des puces
Fréquence:
1Pour les appareils de surveillance de l'environnement:
Gain:
190,3 dB
Emballage / boîtier:
55-KR
Actuel - essai:
120 mA
Puissance de sortie:
825 W
Technologie:
-
Estimation actuelle (ampères):
-
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Trans, GAN, 1030/1090 MHz, 800 W,
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
RF Mosfet 54 V 120 mA 1,025 GHz ~ 1,15 GHz 19,3 dB 825W 55-KR

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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