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A3V26S004NT6
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A3V26S004NT6

A3V26S004NT6

Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Monture de surface
Tension - évaluée:
105 V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Chiffre de bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le nombre d'étoiles de la série 6 est de:
Tension - essai:
48V
Mfr:
NXP USA Inc.
Fréquence:
2Pour les appareils électroniques
Gain:
230,3 dB
Emballage / boîtier:
Plateau exposé à 6-LDFN
Actuel - essai:
16 mA
Puissance de sortie:
26 dBm
Technologie:
ldmos
Estimation actuelle (ampères):
10µA
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
La puissance de la radiofréquence aérienne rapide LDMOS
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
RF Mosfet 48 V 16 mA 2,496 GHz ~ 2,69 GHz 23,3 dB 26 dBm 6-PDFN (4x4,5)

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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