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Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Montage sur châssis
Tension - évaluée:
110 V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Chiffre de bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
NI-780S
Tension - essai:
50 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Fréquence:
10,03 GHz
Gain:
190,7 dB
Emballage / boîtier:
NI-780S
Actuel - essai:
200 mA
Puissance de sortie:
500 W
Technologie:
ldmos
Estimation actuelle (ampères):
-
Numéro du produit de base:
Résultats de l'analyse
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
RF Mosfet 50 V 200 mA 1,03 GHz 19,7 dB 500W NI-780S

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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