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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Monture de surface
Tension - évaluée:
65 V
Le paquet:
Plateau
Série:
GOLDMOS®
Chiffre de bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
H-31260-2
Tension - essai:
28 V
Mfr:
Infineon Technologies
Fréquence:
20,68 GHz
Gain:
13.5dB
Emballage / boîtier:
2-Plaquette, à nageoires de nageoires, à flancs
Actuel - essai:
1,4 A
Puissance de sortie:
130W
Technologie:
ldmos
Estimation actuelle (ampères):
10µA
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
IC FET RF LDMOS 130W H-31260-2
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
RF Mosfet 28 V 1,4 A 2,68 GHz 13,5 dB 130 W H-31260-2

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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