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A3G26D055N-100 est un appareil de type
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A3G26D055N-100 est un appareil de type

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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Tension - évaluée:
125 V
Le paquet:
Produits en vrac
Série:
-
Chiffre de bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le nombre d'étoiles est déterminé par la fréquence d'écoulement.
Tension - essai:
48V
Mfr:
NXP USA Inc.
Fréquence:
100 MHz à 2,69 GHz
Gain:
130,9 dB
Emballage / boîtier:
Plateau exposé à 6-LDFN
Actuel - essai:
40 mA
Puissance de sortie:
8w
Technologie:
GaN
Estimation actuelle (ampères):
-
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Circuits RF REF 25W 100 à 2800 MHz
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
RFI Mosfet 48 V 40 mA 100 MHz ~ 2,69 GHz 13,9 dB 8W 6-PDFN (7x6,5)

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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