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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Montage sur châssis
Tension - évaluée:
68V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Chiffre de bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
NI-1230
Tension - essai:
28 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Fréquence:
20,66 GHz
Gain:
140,6 dB
Emballage / boîtier:
NI-1230
Actuel - essai:
1,8 A
Puissance de sortie:
35W
Technologie:
ldmos
Estimation actuelle (ampères):
-
Numéro du produit de base:
Résultats de l'enquête
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Le système de détection de l'urine est utilisé.
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
RF Mosfet 28 V 1,8 A 2,66 GHz 14,6 dB 35 W NI-1230

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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