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F423MR12W1M1B11BOMA1
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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les IGBT Modules
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
50 A
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Montage sur châssis
Le paquet:
Plateau
Série:
EasyPACK™
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC:
-
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
1200 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Les données de l'échantillon doivent être prises en compte pour la détermination de l'efficacité.
Mfr:
Infineon Technologies
Température de fonctionnement:
-40°C | 150°C (TJ)
Puissance - maximum:
20 mW
Type d'IGBT:
Fossé
Emballage / boîtier:
Module
Résultats de l'analyse:
La norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
3,68 N-F @ 800 V
Configuration:
Plein pont
Thermistance de NTC:
- Oui, oui.
Numéro du produit de base:
Les États membres doivent fournir des informations détaillées sur les mesures prises.
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Facile à utiliser
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Module IGBT Trench Full Bridge 1200 V 50 A 20 mW Monture du châssis AG-EASY1BM-2

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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