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FZ900R12KE4HOSA1
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FZ900R12KE4HOSA1

FZ900R12KE4HOSA1

Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les IGBT Modules
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
900 A
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Montage sur châssis
Le paquet:
Plateau
Série:
c
Emballage / boîtier:
Module
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC:
2.1V @ 15V, 900A
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
1200 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Module
Mfr:
Infineon Technologies
Température de fonctionnement:
-40°C | 150°C (TJ)
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
5 mA
Type d'IGBT:
Arrêt de champ de fossé
Puissance - maximum:
4300 W
Résultats de l'analyse:
La norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
56 nF @ 25 V
Configuration:
Unique
Thermistance de NTC:
Je ne veux pas.
Numéro du produit de base:
Le modèle FZ900R12
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Le modèle IGBT MOD 1200V 900A 4300W
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Module IGBT arrêt de champ de tranchée unique 1200 V 900 A 4300 W Module monté sur châssis

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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