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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les IGBT Modules
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
200 A
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
À travers le trou
Le paquet:
Produits en vrac
Série:
-
Emballage / boîtier:
sp1
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC:
2.3V @ 15V, 100A
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
650 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
sp1
Mfr:
Technologie des puces
Température de fonctionnement:
-40°C | 175°C (TJ)
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
100 µA
Type d'IGBT:
Arrêt de champ de fossé
Puissance - maximum:
350 W
Résultats de l'analyse:
La norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
6 nF @ 25 V
Configuration:
demi pont
Thermistance de NTC:
- Oui, oui.
Numéro du produit de base:
Le nombre d'heures de travail
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Le système d'aiguillage doit être équipé d'un système d'aiguillage à haute tension.
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Module IGBT Fermeture de champ de tranchée demi-pont 650 V 200 A 350 W à travers le trou SP1

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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