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NXH80T120L3Q0S3G
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NXH80T120L3Q0S3G

NXH80T120L3Q0S3G

Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les IGBT Modules
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
75 A
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Montage sur châssis
Le paquet:
Plateau
Série:
-
Emballage / boîtier:
Module
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC:
2.4V @ 15V, 80A
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
1200 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Les pièces détachées doivent être en forme d'emballage.
Mfr:
un demi
Température de fonctionnement:
-40°C | 175°C (TJ)
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
300 µA
Type d'IGBT:
Arrêt de champ de fossé
Puissance - maximum:
188 W
Résultats de l'analyse:
La norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
18.15 nF @ 20 V
Configuration:
demi pont
Thermistance de NTC:
- Oui, oui.
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
La génération de PIM3 Q0PACK est de 1200 V, 80
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Module IGBT Trench Field Stop demi-pont 1200 V 75 A 188 W Monture du châssis 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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