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2PS13512E43W39689NOSA1
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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les IGBT Modules
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Montage sur châssis
Le paquet:
Produits en vrac
Série:
Le système de gestion des risques
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC:
-
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
1200 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Module
Mfr:
Infineon Technologies
Type d'IGBT:
Arrêt de champ de fossé
Emballage / boîtier:
Module
Résultats de l'analyse:
La norme
Température de fonctionnement:
-25°C à 55°C
Configuration:
Inverseur triphasé
Thermistance de NTC:
- Oui, oui.
Numéro du produit de base:
2PS13512
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Le module IGBT 1200V 900A est utilisé.
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Module IGBT, arrêt de champ de tranchée, onduleur à trois phases, module monté sur châssis de 1200 V

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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