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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les IGBT Modules
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
5 mA
Statut du produit:
Pas pour les nouveaux modèles
Type de montage:
Montage sur châssis
Le paquet:
Plateau
Série:
c
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC:
2.15V @ 15V, 200A
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
1200 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Module
Mfr:
Infineon Technologies
Température de fonctionnement:
-40°C | 125°C
Puissance - maximum:
1050 W
Type d'IGBT:
Arrêt de champ de fossé
Emballage / boîtier:
Module
Résultats de l'analyse:
La norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
14 nF @ 25 V
Configuration:
2 indépendant
Thermistance de NTC:
Je ne veux pas.
Numéro du produit de base:
FF200R12
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Le module IGBT est équipé d'un système de régulation de la tension.
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Module IGBT arrêt de champ de tranchée 2 indépendant 1200 V 1050 W module de montage de châssis

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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