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DDB6U50N16W1RPB11BPSA1
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DDB6U50N16W1RPB11BPSA1

DDB6U50N16W1RPB11BPSA1

Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les IGBT Modules
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
50 A
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Montage sur châssis
Le paquet:
Plateau
Série:
-
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC:
1.5V @ 15V, 50A
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
1200 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le nombre d'équipements utilisés
Mfr:
Infineon Technologies
Température de fonctionnement:
-40°C | 175°C (TJ)
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
6.2 μA
Type d'IGBT:
Arrêt de champ de fossé
Emballage / boîtier:
Module
Résultats de l'analyse:
pont redresseur triphasé
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
N-F 11,1 @ 25 V
Configuration:
Helicoptère unique
Thermistance de NTC:
Je ne veux pas.
Numéro du produit de base:
Le nombre total de personnes concernées
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Facile à utiliser
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Module IGBT pour l'arrêt du champ de tranchée Chopper unique 1200 V 50 A Monture de châssis AG-EASY1B

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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