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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les IGBT Modules
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
200 A
Statut du produit:
Pas pour les nouveaux modèles
Type de montage:
Montage sur châssis
Le paquet:
Plateau
Série:
Les résultats de l'enquête
Emballage / boîtier:
Module
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC:
2.15V @ 15V, 150A
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
1200 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Module
Mfr:
Infineon Technologies
Température de fonctionnement:
-40°C | 125°C
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
5 mA
Type d'IGBT:
Arrêt de champ de fossé
Puissance - maximum:
695 W
Résultats de l'analyse:
La norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
10.5 nF @ 25 V
Configuration:
demi pont
Thermistance de NTC:
- Oui, oui.
Numéro du produit de base:
FF150R12M
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Le système d'aiguillage de l'appareil doit être équipé d'un système de régulation de la tension.
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Module IGBT, arrêt de champ de tranchée, demi-pont 1200 V 200 A 695 W, module de montage du châssis

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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