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FS50R12W2T7B11BOMA1
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FS50R12W2T7B11BOMA1

FS50R12W2T7B11BOMA1

Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les IGBT Modules
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
50 A
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Montage sur châssis
Le paquet:
Plateau
Série:
EasyPACK™
Emballage / boîtier:
Module
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC:
1.5V @ 15V, 50A (type)
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
1200 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Module
Mfr:
Infineon Technologies
Température de fonctionnement:
-40°C ~ 175°C
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
70,9 μA
Type d'IGBT:
Arrêt de champ de fossé
Puissance - maximum:
20 mW
Résultats de l'analyse:
La norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
N-F 11,1 @ 25 V
Configuration:
Plein pont
Thermistance de NTC:
Je ne veux pas.
Numéro du produit de base:
Le numéro de série de la commande
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Le réglage de l'alimentation doit être effectué à l'aide d'un système de régulation de l'alimentatio
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Module IGBT Arrêt de champ de tranchée Full Bridge 1200 V 50 A 20 mW Module de montage de châssis

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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