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FF750R17ME7DB11BPSA1
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FF750R17ME7DB11BPSA1

FF750R17ME7DB11BPSA1

Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les IGBT Modules
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
750 A
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Montage sur châssis
Le paquet:
Plateau
Série:
Les résultats de l'étude
Emballage / boîtier:
Module
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC:
1.85V @ 15V, 750A
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
1700 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
-
Mfr:
Infineon Technologies
Température de fonctionnement:
-40°C | 175°C (TJ)
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
5 mA
Type d'IGBT:
Arrêt de champ de fossé
Puissance - maximum:
20 mW
Résultats de l'analyse:
La norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
78.1 nF @ 25 V
Configuration:
Demi inverseur de pont
Thermistance de NTC:
- Oui, oui.
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Le secteur de l'électricité
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Module IGBT Arrêt de champ de tranchée demi-pont Inverseur 1700 V 750 A 20 mW Monture de châssis

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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