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Le produit doit être présenté à l'entrée de l'appareil.
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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les IGBT Modules
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
800 A
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Montage sur châssis
Le paquet:
Plateau
Série:
TrenchStop™
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC:
1Pour les appareils à commande numérique
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
1200 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
AG-62MMHB
Mfr:
Infineon Technologies
Température de fonctionnement:
-40°C | 175°C (TJ)
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
100 µA
Type d'IGBT:
Arrêt de champ de fossé
Emballage / boîtier:
Module
Résultats de l'analyse:
La norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
122 nF @ 25 V
Configuration:
Demi inverseur de pont
Thermistance de NTC:
Je ne veux pas.
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Pour les appareils à commande numérique, le nombre de pièces à commande numérique est indiqué à l'éc
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Module IGBT Arrestation de champ de tranchée Invertisseur à demi-pont 1200 V 800 A Monture de châssis AG-62MMHB

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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