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Les données sont fournies par le FP75R12KT4BOSA1
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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les IGBT Modules
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
75 A
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Montage sur châssis
Le paquet:
Plateau
Série:
ÉconoPIMTM 3
Emballage / boîtier:
Module
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC:
2.25V @ 15V, 75A
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
1200 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Module
Mfr:
Infineon Technologies
Température de fonctionnement:
-40°C | 150°C
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
1 mA
Type d'IGBT:
Arrêt de champ de fossé
Puissance - maximum:
385 W
Résultats de l'analyse:
La norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
4.3 nF @ 25 V
Configuration:
Inverseur triphasé
Thermistance de NTC:
- Oui, oui.
Numéro du produit de base:
Le numéro de série FP75
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Le système de régulation de l'émission de CO2 doit être conforme à l'annexe II.
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Module IGBT, arrêt de champ de tranchée, onduleur à trois phases 1200 V 75 A 385 W, module monté sur châssis

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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