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NXH350N100H4Q2F2SG
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NXH350N100H4Q2F2SG

NXH350N100H4Q2F2SG

Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les IGBT Modules
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
303 A
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Montage sur châssis
Le paquet:
Plateau
Série:
-
Emballage / boîtier:
Module
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC:
1.8V @ 15V, 375A
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
1000 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé par la méthode suivante:
Mfr:
un demi
Température de fonctionnement:
-40°C | 150°C (TJ)
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
1 mA
Type d'IGBT:
Arrêt de champ de fossé
Puissance - maximum:
592 W
Résultats de l'analyse:
La norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
24.146 nF @ 20 V
Configuration:
Inverseur à trois niveaux
Thermistance de NTC:
- Oui, oui.
Numéro du produit de base:
NXH350
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Le système de régulation de l'énergie doit être conforme à la réglementation en vigueur.
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Module IGBT Arrêt de champ de tranchée Trois niveaux Invertisseur 1000 V 303 A 592 W Monture de châssis 42-PIM/Q2PACK (93x47)

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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