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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les IGBT Modules
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
150 A
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Montage sur châssis
Le paquet:
Plateau
Série:
c
Emballage / boîtier:
Module
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC:
3.7V @ 15V, 100A
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
1200 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Module
Mfr:
Infineon Technologies
Température de fonctionnement:
-40°C | 125°C
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
5 mA
Type d'IGBT:
-
Puissance - maximum:
780 W
Résultats de l'analyse:
La norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
650 nF @ 25 V
Configuration:
2 indépendant
Thermistance de NTC:
Je ne veux pas.
Numéro du produit de base:
FF100R12
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Le système de régulation de l'émission de l'électricité doit être équipé d'un système de régulation
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Module IGBT 2 Module indépendant de montage de châssis de 1200 V 150 A 780 W

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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