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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les IGBT Modules
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
142 A
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Montage sur châssis
Le paquet:
Plateau
Série:
-
Emballage / boîtier:
ÉMIPAK-2B
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC:
2.06V @ 15V, 100A
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
650 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
ÉMIPAK-2B
Mfr:
Général semi-conducteur - Division de Vishay de diodes
Température de fonctionnement:
175°C (TJ)
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
100 µA
Type d'IGBT:
Fossé
Puissance - maximum:
417 W
Résultats de l'analyse:
La norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
6.6 nF @ 30 V
Configuration:
Inverseur à trois niveaux
Thermistance de NTC:
Je ne veux pas.
Numéro du produit de base:
Le montant de la garantie
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Le système d'aiguillage de l'appareil doit être équipé d'un système de réglage de la tension.
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Module IGBT Trench Inverteur à trois niveaux 650 V 142 A 417 W Monture de châssis EMIPAK-2B

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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