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Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les IGBT Modules
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
560 A
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Montage sur châssis
Le paquet:
Produits en vrac
Série:
-
Emballage / boîtier:
SP6
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC:
2.1V @ 15V, 400A
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
1200 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
SP6
Mfr:
Technologie des puces
Température de fonctionnement:
-40°C | 150°C (TJ)
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
µA 750
Type d'IGBT:
Arrêt de champ de fossé
Puissance - maximum:
1785 W
Résultats de l'analyse:
La norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
28 nF @ 25 V
Configuration:
Deux sources communes
Thermistance de NTC:
Je ne veux pas.
Numéro du produit de base:
Le nombre de personnes concernées
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Le système d'exploitation de l'appareil doit être équipé d'un système d'exploitation de l'appareil,
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Module IGBT à double arrêt de champ de tranchée, source commune 1200 V 560 A 1785 W Monture de châssis SP6

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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