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Le modèle FZ2000R33HE4BOSA1
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Le modèle FZ2000R33HE4BOSA1

Le modèle FZ2000R33HE4BOSA1

Détails de produit
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les IGBT Modules
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
2000 A
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Montage sur châssis
Le paquet:
Plateau
Série:
Le groupe IHM
Emballage / boîtier:
Module
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC:
2.2V @ 15V, 2kA (type)
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
3300 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Les produits doivent être présentés dans les conditions suivantes:
Mfr:
Infineon Technologies
Température de fonctionnement:
-40°C | 150°C (TJ)
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
5 mA
Type d'IGBT:
Arrêt de champ de fossé
Puissance - maximum:
4.2 mW
Résultats de l'analyse:
La norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
Pour les appareils à commande numérique
Configuration:
Commutateur simple
Thermistance de NTC:
Je ne veux pas.
Numéro du produit de base:
FZ2000
Conditions de paiement et d'expédition
Le stock
En stock
Méthode de transport
LCL, AIR, FCL, express
Définition
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'UE.
Conditions de paiement
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Description de produit
Module IGBT à arrêt de champ de tranchée commutateur unique 3300 V 2000 A 4,2 mW Monture de châssis AG-IHVB190-3

Étiquettes:

Puce d'IC de transistor,

Puce incorporée,

Puce incorporée SMD

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