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S80KS5122GABHV020
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S80KS5122GABHV020

S80KS5122GABHV020

Détails de produit
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
512Mbit
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Plateau
Série:
HYPERRAM™
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
HyperBus
Écrire le temps du cycle - mot, page:
35ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
24-FBGA (6x8)
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
Infineon Technologies
Fréquence d'horloge:
200 MHz
Voltage - alimentation:
1.7V | 2V
Temps d'accès:
35 ns
Emballage / boîtier:
24-VBGA
Organisation de la mémoire:
64M x 8
Température de fonctionnement:
-40°C à 105°C (TA)
Technologie:
PSRAM (pseudo SRAM)
Numéro du produit de base:
S80KS5122
Format de mémoire:
PSRAM
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
Le système d'exploitation de l'appareil est équipé d'un système d'exploitation de l'appareil qui est
Description de produit
PSRAM (pseudo SRAM) mémoire IC 512 Mbit HyperBus 200 MHz 35 ns 24-FBGA (6x8)

Étiquettes:

Puce d'IC de mémoire instantanée,

Puce de circuit intégré,

Puces de mémoire

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