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CY14B116N-ZSP25XI
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CY14B116N-ZSP25XI

CY14B116N-ZSP25XI

Détails de produit
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Plateau
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
25ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
54-TSOP II
Type de mémoire:
Non volatils
Mfr:
Infineon Technologies
Taille de mémoire:
16 Mbit
Voltage - alimentation:
2.7V ~ 3.6V
Temps d'accès:
25 ns
Emballage / boîtier:
54-TSOP (0,400", largeur de 10.16mm)
Organisation de la mémoire:
1M x 16
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
NVSRAM (SRAM non-volatile)
Numéro du produit de base:
CY14B116
Format de mémoire:
NVSRAM
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.
Description de produit
La mémoire IC NVSRAM (SRAM non volatile) est de 16 Mbit parallèle à 25 ns 54-TSOP II

Étiquettes:

Puce d'IC de mémoire instantanée,

Puce de circuit intégré,

Puces de mémoire

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