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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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  • DS1230Y-70+

DS1230Y-70+

Détails de produit
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
À travers le trou
Le paquet:
Tuyaux
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
70ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
28-EDIP
Type de mémoire:
Non volatils
Mfr:
Analog Devices Inc./Maxim intégré
Taille de mémoire:
256 Kbit
Voltage - alimentation:
4.5V à 5.5V
Temps d'accès:
70 ns
Emballage / boîtier:
Module à 28 DIP (0,600" et 15,24 mm)
Organisation de la mémoire:
32K x 8
Température de fonctionnement:
Pour les appareils de traitement des eaux usées:
Technologie:
NVSRAM (SRAM non-volatile)
Numéro du produit de base:
Le numéro de série:
Format de mémoire:
NVSRAM
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
Le système de commande de l'IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Description de produit
NVSRAM (SRAM non volatile) mémoire IC 256Kbit parallèle 70 ns 28-EDIP

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