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Le code de conduite est le CYD09S18V18-200BBXI.
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Détails de produit
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
9Mbit
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Plateau
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Les données de référence sont les suivantes:
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
Cypress Semiconductor Corp
Fréquence d'horloge:
200 MHz
Voltage - alimentation:
1Pour les appareils à commande numérique, le réglage de la tension doit être effectué à l'aide d'un
Temps d'accès:
3,3 NS
Emballage / boîtier:
256-LBGA
Organisation de la mémoire:
512K x 18
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
SRAM - double port, synchrone
Numéro du produit de base:
Le numéro de série CYD09S18
Format de mémoire:
SRAM
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
Le système de traitement des données est un système de traitement des données.
Description de produit
SRAM - Port double, mémoire synchrone IC 9Mbit parallèle 200 MHz 3.3 ns 256-FBGA (17x17)

Étiquettes:

Puce d'IC de mémoire instantanée,

Puce de circuit intégré,

Puces de mémoire

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