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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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Les données de l'échantillon sont fournies par les autorités compétentes.
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Détails de produit
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
45ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
44-TSOP II
Type de mémoire:
Non volatils
Mfr:
Infineon Technologies
Taille de mémoire:
4Mbit
Voltage - alimentation:
2.7V ~ 3.6V
Temps d'accès:
45 ns
Emballage / boîtier:
44-TSOP (0,400", largeur de 10.16mm)
Organisation de la mémoire:
512K x 8
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
NVSRAM (SRAM non-volatile)
Numéro du produit de base:
CY14B104
Format de mémoire:
NVSRAM
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
Le système d'exploitation de l'IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II
Description de produit
La mémoire IC NVSRAM (SRAM non volatile) est de 4 Mbit parallèle 45 ns 44-TSOP II

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