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S29VS256RABBHI000
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S29VS256RABBHI000

Détails de produit
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Taille de mémoire:
256Mbit
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Plateau
Série:
VS-R
DigiKey est programmable:
Pas vérifié
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
60ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Pour les appareils à commande numérique, les caractéristiques suivantes sont applicables:
Type de mémoire:
Non volatils
Mfr:
Cypress Semiconductor Corp
Fréquence d'horloge:
108 mégahertz
Voltage - alimentation:
1.7V | 1.95V
Temps d'accès:
80 NS
Emballage / boîtier:
44-VFBGA
Organisation de la mémoire:
16M x 16
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
ÉCLAIR - NI
Numéro du produit de base:
S29VS256
Format de mémoire:
Flash
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
NOR flash parallèle/série 1.8V 2
Description de produit
La fréquence d'écoulement de l'appareil doit être supérieure ou égale à:

Étiquettes:

Puce d'IC de mémoire instantanée,

Puce de circuit intégré,

Puces de mémoire

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