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  • RMLV0414EGSB-4S2#HA1

RMLV0414EGSB-4S2#HA1

Détails de produit
Catégorie:
Circuits intégrés (CI) La mémoire La mémoire
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Produits en vrac
Série:
-
Interface de mémoire:
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page:
45ns
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
44-TSOP II
Type de mémoire:
Les produits de base
Mfr:
Rochester Electronics, LLC
Taille de mémoire:
4Mbit
Voltage - alimentation:
2.7V ~ 3.6V
Emballage / boîtier:
44-TSOP (0,400", largeur de 10.16mm)
Organisation de la mémoire:
256K x 16
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Technologie:
SRAM - Asynchrone
Temps d'accès:
45 ns
Format de mémoire:
SRAM
Conditions de paiement et d'expédition
Définition
RMLV0414EGS - LPSRA avancé de 4 Mb
Description de produit
SRAM - IC de mémoire asynchrone 4Mbit parallèle 45 ns 44-TSOP II

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